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查询Tags标签:MOSFET,共有12条记录
  • 采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET

    东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。U-MOS X-H系列产品示意图新增产品包括…

    2020/3/30 18:02:36
  • 搭载COT引擎的OptiMOS™ IPOL稳压器拥有更强的瞬态响应能力和简化的设计

    英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出搭载恒定导通时间(COT)引擎的全新集成式负载点(IPOL)稳压器系列,其中包含IR3887M、IR3888M和IR3889M。该产品系列专为当今需要高效率和高密度的服务器、基站和电信(在85℃环境温度下运行)以及存储应用而设计。IR…

    2020/3/23 12:20:43
  • APR348 二次侧多模式同步整流 MOSFET 驱动器

    Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 今日宣布推出 APR348 二次侧多模式同步整流 MOSFET 驱动器,专为一般消费性应用、笔记本电脑和 USB 适配器的交直流整流电路所设计。APR348能够驱动高侧和低侧的二次侧同步整流器配置中的外部 MOSFET。这种灵活有效的器件支持连续导通模式 (CC…

    2020/3/12 10:30:30
  • 900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的应用

    新的SiC MOSFET器件实现更好的性能、更高的能效和能在严苛条件下工作推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出另两个碳化硅(SiC) MOSFET系列,扩展了其宽禁带(WBG)器件系列。 这些新器件适用于各种高要求的高增长应用,包括…

    2020/3/11 11:10:24
  • 700V和600V超结高压MOSFET

    实现高密度、短小轻薄的电源系统设计优化日前,集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商 Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS,纳斯达克股票代码:AOSL)发布采用DFN5x6和DFN8x8 SMD封装的700V和600V αMOS5™系列超结MOSFET。αMOS5是AOS的…

    2020/3/11 10:35:15
  • 650 V CoolSiC? MOSFET系列为更多应用带来最佳可靠性和性能水平

    英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)进一步扩展其碳化硅(SiC)产品组合,推出650V器件。其全新发布的CoolSiC? MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源(UPS)、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用…

    2020/2/25 12:06:52
  • 基于PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOS?源极底置25 V功率MOSFET

    英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战,来实现系统创新和组件水平的改进。“源极底置”是符合行业标准的全新封装概念。英飞凌已推出第一批基于该封装概念的功率MOSFET,它们是采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOSTM 25 …

    2020/2/18 11:21:48
  • 全新600 V CoolMOS? PFD7系列助力实现全新水平的超高功率密度设计

    通过立足于超结技术创新和20多年的丰富经验,英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)进一步扩展其CoolMOSTM产品组合,推出全新PFD7系列,该系列不仅具备一流的性能,还拥有最出色的易用性。这些器件适用于超高功率密度设计(如充电器和适配器等)以及低功率驱动和…

    2020/2/14 13:13:44
  • 采用PowerPAK? 1212 8S封装的-30 V P沟道MOSFET

    器件占位面积10.89 mm2,RDS(ON)降至3.5 m,FOM降至172 m?*nC,均为业内最佳水平日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号:VSH)推出新型-30 V p沟道TrenchFET第四代功率MOSFET---SiSS05DN,器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-8S封装,10 V条件…

    2020/2/11 13:21:34
  • 80 V MOSFET,导通电阻与栅极电荷乘积即优值系数达到同类产品最佳水平

    器件采用PowerPAK SO-8单体封装,导通电阻降至2.35 m?,栅极电荷为55 nC,COSS为614 pF日前,Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE股市代号:VSH)宣布,推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8单体封装的---SiR680ADP,它是80 V TrenchFET 第四代n沟道功率MOSFET。Vi…

    2020/2/10 15:37:45
  • 携手SiC-MOSFET, 提供汽车和工业解决方案

    ABB 公司Rainer Ksmaier博士访谈录为了加速市场进入高速增长的电动汽车(EV)领域,ABB电网事业部半导体董事总经理Rainer Ksmaier博士和美国领先的碳化硅功率半导体制造商Cree的首席执行官Gregg Lowe宣布建立合作伙伴关系,以共同在快速增长的功率半导体市场中大力推广应…

    2020/1/21 16:23:59
  • 面向车载应用推出采用紧凑型封装的100V N沟道功率MOSFET

    东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A,以及“XPH6R30ANB”-其漏极电流为45A。批量生产和出货计划于近日开始。MOSFET产品图新产…

    2020/1/3 11:31:57
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