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查询Tags标签:SiC,共有17条记录
  • 签署生产和供应碳化硅材料的协议

    该五年协议提高高需求宽禁带材料的全球供应GT Advanced Technologies(GTAT)和安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),宣布执行一项为期五年的协议,总价值可达5,000万美元。根据该协议,GTAT将向高能效创新的全球领袖之一的安森美半导体生产和供…

    2020/3/18 15:03:34
  • 碳化硅(SiC)电源器件系列产品,助力在系统层面优化效率、尺寸和可靠性

    基于SBD的700V、1200V和1700V电源模块可最大程度地提升开关效率、减少温升和缩小系统尺寸 业界希望基于碳化硅(SiC)的系统能最大程度地提升效率、减小尺寸和重量,从而帮助工程师创建创新的电源解决方案;这一需求正在持续、快速地增长。SiC技术的应用场景包括电动汽车、…

    2020/3/18 14:58:20
  • ROHM的SiC功率元器件被应用于UAES的电动汽车车载充电器

    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)的SiC功率元器件(SiC MOSFET*1)被应用于中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ,总部位于中国上海市,以下简称“UAES公司”)的电动汽车车载充电器(…

    2020/3/17 14:45:45
  • 900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的应用

    新的SiC MOSFET器件实现更好的性能、更高的能效和能在严苛条件下工作推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出另两个碳化硅(SiC) MOSFET系列,扩展了其宽禁带(WBG)器件系列。 这些新器件适用于各种高要求的高增长应用,包括…

    2020/3/11 11:10:24
  • 强劲可靠的栅极驱动器为快速开关碳化硅(SiC)功率模块提供支持

    各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID日前宣布,为Wolfspeed提供强劲可靠的栅极驱动器,以支持其XM3碳化硅(SiC)MOSFET功率模块。该新型栅极驱动器板旨在为高功率密度转换器提供支持,可以安全地驱动快速开关碳化硅功率模块以实现低损耗,同时可以在空间受限的电…

    2020/2/7 13:20:52
  • 强劲可靠的栅极驱动器为快速开关碳化硅(SiC)功率模块提供支持

    各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID日前宣布,为Wolfspeed提供强劲可靠的栅极驱动器,以支持其XM3碳化硅(SiC)MOSFET功率模块。该新型栅极驱动器板旨在为高功率密度转换器提供支持,可以安全地驱动快速开关碳化硅功率模块以实现低损耗,同时可以在空间受限的电…

    2020/2/7 13:20:52
  • 加快基于碳化硅的电源转换器的设计周期

    栅极驱动器评估平台(GDEV)全球领先的电路保护、功率控制和传感技术制造商Littelfuse, Inc.(纳斯达克:LFUS)今日宣布推出栅极驱动器评估平台(GDEV)。 新的评估平台可帮助设计师评估碳化硅MOSFET、碳化硅肖特基二极管和栅极驱动器电路等其他外围组件,以便他们更好地了解…

    2020/2/5 17:10:42
  • 具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET

    美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布推出采用流行的扁平型DFN 8x8表面贴装封装、同时具有业界最低RDS(on)的SiC FET器件UF3SC065030D8和UF3SC065040D8,这些650V SiC FET能够取代已有的标准硅器件,使工程师可以采用比分立设计方法具有更高效率和更高功率密度的…

    2020/2/4 15:01:12
  • 携手SiC-MOSFET, 提供汽车和工业解决方案

    ABB 公司Rainer Ksmaier博士访谈录为了加速市场进入高速增长的电动汽车(EV)领域,ABB电网事业部半导体董事总经理Rainer Ksmaier博士和美国领先的碳化硅功率半导体制造商Cree的首席执行官Gregg Lowe宣布建立合作伙伴关系,以共同在快速增长的功率半导体市场中大力推广应…

    2020/1/21 16:23:59
  • 就碳化硅(SiC)晶圆长期供货事宜达成协议

    全球知名半导体制造商罗姆和意法半导体(以下简称“ST”)宣布,双方就碳化硅(以下简称“SiC”)晶圆由罗姆集团旗下的SiCrystal GmbH (以下简称“SiCrystal”)供应事宜达成长期供货协议。在SiC功率元器件快速发展及其需求高速增长的大背景下,双方达成超1.2亿美元的协…

    2020/1/15 22:59:45
  • 利用SiC分立器件实现性能最优化

    UnitedSiC近期扩展了其开关速度定制产品等在内的SiC FET产品线,同时可提供传统的3引线封装与具有开尔文源极引脚的4引脚封装供选择[1]。这些器件能够广泛适用于车载充电器、电池充电器、工业电源、光伏逆变器、服务器电源、电信整流器和大功率照明等应用 [2,3]。UnitedSi…

    2020/1/14 14:40:04
  • 伍理勋:IGBT和碳化硅是目前行业研究的热点

    1月10-12日,以“把握形势 聚焦转型 引领创新”为主题的2020中国电动汽车百人会论坛在北京举行。搜狐汽车作为大会官方战略合作媒体深入前线,以图文及专题的立体呈现形式,第一时间为您带来大咖云集的产业盛宴。活动现场,中车时代电动汽车股份有限公司首席专家伍理勋发表…

    2020/1/12 16:15:34
  • 3300 V/750 A两单元SiC模块开关特性

    一般而言,新兴的SiC功率器件通常与更高开关频率的应用相关联,以实现变换系统更为紧凑化。本文将重点介绍SiC半导体器件的开关特性,并对全SiC模块、混合SiC模块与Si IGBT模块的开关特性进行了对比分析,其中所测模块的额定电压均为3300 V且额定电流范围相近,以尽可能公…

    2020/1/11 16:30:53
  • 基本半导体:未来聚焦车用碳化硅市场

    在PCIM Asia 2019上,深圳基本半导体有限公司(以下简称“基本半导体”)以充满科技感和未来感的蓝白为主色调,展示了企业自主研发的碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等全系列功率器件,吸引了众多国内外专业观众的眼球。作者:《Bodos功率系统》杂志编辑文立展会上,基本半导…

    2019/7/10 17:35:56
  • 采用Kelvin连接封装优化650V和1200V高性能碳化硅FET

    前不久,UnitedSiC推出了采用TO-247-4L 4引脚Kelvin Sense封装的全新系列650 V和1200 V高性能碳化硅FET器件,为什么要这样做,这种Kelvin连接封装又有什么好处呢?带着问题我们采访了UnitedSiC的Richard Chen,请他谈了Kelvin连接封装的优势以及与碳化硅FET器件性能的关系…

    2019/1/30 17:45:45
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