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  • 工业应用 2021-12-14

    HIRO 部署新一代可扩展边缘微型数据中心

    使用模块化电源的分布式边缘基础架构可加速处理与数据传输边缘计算对于充分发挥人工智能 (AI)、机器学习和物联网 (IoT) 的全部潜能至关重要。这些技术正在融入我们生活的方方面面:自动驾驶、智能楼宇、机器人、供应链管理和医疗保健。 何为边缘计算? 边缘计算作为速度更…......
  • 电源管理 2021-10-18

    Digital Electricity™ 加速当前智能世界技术的数字化转型

    VoltServer 使用标准数据线和端点转换器,高效安全地远距离传输大电源在快速成熟的人工智能 5G 无线网络和物联网 (IoT) 系统的推动下,全球数字化转型进展顺利,这些系统部署数十亿款智能边缘传感器,将实时数据发送至云端。但您是否曾停下来思考过,我们将如何为所有这些…......
  • 通信 / 照明 2021-09-27

    基于NCL35076或NCL30076的高能效、高精度、高可靠性的可调光LED照明降压方案

    本文主要介绍安森美 (onsemi)的基于NCL35076连续导通模式 (CCM) DC-DC 降压控制器的75 W方案和基于NCL30076准谐振(QR)降压控制器的100 W及240 W方案。两款方案的典型应用是LED照明系统、模拟/PWM可调光LED驱动器,模拟调光范围宽,从1%到100%。安森美专有的LED电流计算技…......
  • 宽禁带 2021-09-06

    仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性

    开篇前言关于SiC MOSFET的并联问题,英飞凌已陆续推出了很多技术资料,帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境,分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。特别提醒仿真无法替代实验,仅供参考。1、选取仿真研究对象SiC MOSFETIMZ120R…......
  • SiC 2021-08-31

    仿真看世界之650V混合SiC单管的开关特性

    前言背景:英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。IGBT混搭SiC SBD续流二极管,在…......
  • 工业应用 2021-08-29

    基于能量采集解决方案的现代技术破解“永动机”的难题

    人类对于科技改善生活的探索从来没有停止,而在古代的人类则因为科学知识的欠缺,有不少人陷于并不可行的,今天看起来明显违背科学常识的“科技探索”,大概“永动机”是其中最常见的人类普遍“迷思”——一种不需要外界输入能量或者只需要一个初始能量就可以永远做功的机…......
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