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650V 60mΩ SiC MOSFET高温性能测试对比,国产器件重载时温度更低

admin
2021-10-21
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标签:MOSFET

650V 60mΩ SiC MOSFET主要应用市场包括光伏和储能、驱动、电动汽车及充电桩、UPS、电源等。据HIS报告,电动汽车充电市场的增长将非常强劲,高达59%。

自特斯拉第一次采用ST 650V SiC MOSFET后,目前市场上CREE、UnitedSiC、罗姆、Infineon都有650V SiC MOSFET产品。国内厂商派恩杰半导体也推出了650V 60mΩSiC MOSFET。相较于国外厂商,国内厂商的SiC MOSFET产品性能到底如何?派恩杰半导体采用自主设计的Buck-Boost效率测试平台针对650V 60mΩSiC MOSFET高温性能进行了对比测试。本文分享测试结果。

派恩杰设计的Buck-Boost效率测试平台用于650V/1200V TO247-4 分立SiC MOSFET的开环功率实验,器件系统效率和温升性能测试,双脉冲测试以及电池充放电系统。最大输入电压可达800Vdc,输出400Vdc,可工作在Buck模式或者Boost模式。原理图如图1,实物图如图2。

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本次选择了派恩杰650V 60mΩ产品P3M06060K4与C品牌4pin 650V 60mΩ进行测试对比。P3M06060K4 Rdson随温度变化更小,高温下导通损耗更小,因此在高温下性能更优,见图3、图4,

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采用Buck模式对比两家器件性能。在100kHz条件下,轻载时效率基本一致达到99%,重载时P3M06060K4器件效率更高,如图5。在4kW时,P3M06060K4器件温度86℃,C品牌器件温度96℃。P3M06060K4器件功率加到4.7kW时,器件温度才到100℃,如图6。其中C品牌器件温度达到96℃如图7,相应电感温度如图8。

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在65kHz条件下,轻载时效率基本一致达到99%,重载时P3M06060K4器件效率更高,如图9。在4.3kW时,P3M06060K4器件温度80℃,C品牌器件温度102℃。P3M06060K4器件功率加到5kW时,器件温度才接近100℃,如图10。其中C品牌器件温度达到96℃如图11,相应电感温度如图12。

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因此P3M06060K4器件在重载时温度更低,已经超过世界一流SiC厂商C品牌器件。

派恩杰半导体SiC MOSFET 650V -1700V SiC MOSFET产品齐全,除了650V 60mΩSiC MOSFET P3M06060K4, 其他SiC MOSFET器件性能也已达到国际一流水平。

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