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高电流 TOLL MOSFETs

admin
2021-11-18
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标签:MOSFET

Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 为金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET) 推出节省空间、高热效率的 TOLL (PowerDI1012-8) 封装,能在 175°C、100 瓦等级的 DMTH10H1M7STLWQDMTH10H2M5STLWQ 下运作,另外,80 瓦等级的 DMTH8001STLWQ 金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET) 比 TO263 占据的 PCB 面积少了百分之二十。产品的特色是剖面外的模板只有 2.4 毫米厚。这特色让产品成为高可靠性电力产品应用的最佳选择,像是能量热回收、积体启动交流发电机以及电动汽车的 DC-DC 转换器。

TOLL封装采条带键合封装以达低封装电阻及较低的寄生电感,使得 DMTH8001STLWQ、DMTH10H1M7STLWQ 和 DMTH10H2M5STLWQ 能够在 10 W闸极驱动器下产生 1.3mΩ、1.4mΩ 和 1.68mΩ 的典型寄通电阻。此外,低寄生电感能改善 EMI 电路的表现。

由于焊接面积比 TO263 高出百分之五十,TOLL封装能使接面的热阻抗达 0.65°C/W, MOSFET可处理高达 270A 的电流。镀锡的梯形凹槽铅锭有助于自动光学检测 (AOI) 流程。金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET) 皆符合 AEC-Q101 等级规范,由 IATF 16949  认证的设施制造,并支持 PPAP 文件。


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