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采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET,树立技术新标准

admin
2022-03-15
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标签:MOSFET

英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列,旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。这些新器件采用薄晶圆技术和创新的封装,尺寸极小,却具有显著的性能优势。OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列已针对服务器、通讯、便携式充电器和无线充电等SMPS应用中的同步整流进行了优化。这些功率MOSFET还可在无人机中,应用于小型无刷电机的ESC(电子速度控制)模块。众所周知,无人机通常需要尺寸小、重量轻的元器件。

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这些领先的功率MOSFET器件采用PQFN 2x2封装,具备更高的功率密度、小巧的外形尺寸以及业界极低的导通电阻,能够进一步降低能耗。2 x 2 mm2的小尺寸封装,为PCB布局布线提供了更高的灵活性。此外,该解决方案还具有出色的电气性能,可进一步提高终端应用的功率密度,缩小外形尺寸。同时,系统温度的降低、性能的提升,也让热管理变得更加轻松。这些特性有助于实现更小巧的客户应用,充分节省空间、降低系统成本,打造易于设计的产品。


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