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采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET

admin
2022-03-31
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标签:MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺,适用于工业设备开关电源,其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品于今日开始支持批量出货。

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与使用当前一代“U-MOSⅧ-H”工艺的150V产品TPH1500CNH相比,TPH9R00CQH的漏源导通电阻下降约42%。对新型MOSFET的结构优化促进实现源漏导通电阻和两项电荷特性[2]之间的平衡[3],从而实现了优异的低损耗特性。此外,开关操作时漏极和源极之间的尖峰电压降低,有助于减少开关电源的电磁干扰(EMI)。该产品提供SOP Advance和更为广泛采用的SOP Advance(N)这两种类型的表面贴装封装。

与此同时,东芝还提供各类工具,为开关电源的电路设计提供支持。除了能快速验证电路功能的G0 SPICE模型,现在还提供能精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。

东芝将进一步扩大其MOSFET产品线,通过减少损耗提高设备电源效率,进而帮助其降低功耗。

Ø 应用:

- 通信设备电源

- 开关电源(高效率DC-DC转换器等)

Ø 特性:

- 优异的低损耗特性(在导通电阻和栅开关电荷及输出电荷间取得平衡)

- 卓越的导通电阻:RDS(ON)=9.0mΩ(最大值)@VGS=10V

- 高额定结温:Tch(最大值)=175℃

Ø 主要规格:

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