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1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片可以增强特性,进一步提高系统能效

admin
2022-05-11
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标签:SiC

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)发布了一项全新的CoolSiC技术,即CoolSiC MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化硅(SiC)芯片用于颇受欢迎的Easy模块系列,以及采用基于.XT互连技术的分立式封装,具有非常广泛的产品组合。M1H芯片具有很高的灵活性,适用于必须满足峰值电力需求的太阳能系统,如光伏逆变器。同时,这款芯片也是电动汽车快充、储能系统和其他工业应用的理想选择。

CoolSiC技术取得的最新进展使得栅极驱动电压窗口明显增大,从而降低了既定芯片面积下的导通电阻。与此同时,随着栅极运行窗口的扩大,栅极能很好地耐受与驱动器和布局相关的电压峰值,即使在更高开关频率下亦不受任何限制。除了M1H芯片技术,还可通过采用不同封装使不同型号的产品实现更高功率密度,为设计工程师提供更多选择,助力其提升应用性能。

Easy模块可实现更高的功率密度

M1H将被集成到备受青睐的Easy系列中,以进一步优化Easy 1B和2B模块。此外,英飞凌还将推出一款新产品,利用全新的1200 V CoolSiCTM MOSFET技术和增强Easy 3B模块。新芯片尺寸的推出最大限度地提高了灵活性,适用于广泛的工业产品组合。采用M1H芯片,可显著降低模块的导通电阻,让设备更加可靠和高效。

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此外,M1H芯片的最高结温为175°C,具备更出色的过载能力,可实现更高的功率密度,同时扩展了系统安全工作区。与其前身M1芯片相比,M1H芯片实现了更低的内部栅极电阻(RG),这有利于轻松优化开关特性。M1H芯片保持了其动态特性。

具备超低导通电阻的分立式封装

除了集成Easy模块系列之外,CoolSiCTM MOSFET 1200 V M1H产品组合还采用了TO247-3和TO247-4分立式封装,导通电阻值极低,根据不同的型号分为7 mΩ、14 mΩ和20 mΩ。这些新器件的最大栅源电压低至-10 V,改善了栅极电压过冲和下冲,并且实现了良好的抗雪崩击穿能力和短路耐受能力,可以轻松用于产品设计。

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以前在D2PAK-7L封装中引入的英飞凌.XT互连技术,现在也可在TO封装中实现。较之标准互连技术,其散热能力提高了30%以上。这样的散热性能提升带来了极大的裨益,可以将输出功率提高多达15%。另外,它还能提高开关频率,进一步减少诸如电动汽车(EV)充电、储能或光伏系统等应用中所需的无源器件,从而提高功率密度并降低系统成本。.XT互连技术可降低SiC MOSFET结温,而不改变系统运行条件,因此大大延长了系统的使用寿命,提高了功率循环能力。这也是伺服驱动器等设备的关键要求。

新推出的1200 V CoolSiCTM MOSFET M1H芯片将进一步释放SiC技术的应用潜力,在全球范围内推动清洁能源的开发利用,并提高能源效率。


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