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最小型化的40 V、1.1 mΩ 场效应晶体管,可实现最高功率密度

admin
2022-06-01
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标签:宽禁带

PR Graphic EPC2066.jpg

宜普电源转换公司(EPC)新推40 V、1.1 mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2066),为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高性能、占板面积受限的应用。 

全球行业领先供应商宜普电源转换公司 为业界提供增强型氮化镓(eGaN®)功率场效应晶体管和集成电路,新推40 V、典型值为0.8 mΩ的EPC2066氮化镓场效应晶体管,为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。

EPC2066的低损耗和小尺寸使其成为用于最新服务器和人工智能的高功率密度、40 V~60 V/12 V DC/DC转换器次级侧的理想开关器件。它也是电源供电和银盒数据中心服务器中次级侧同步整流至12 V的理想器件,而且适用于24 V~32V的高密度电机驱动应用。氮化镓场效应晶体管可在高频工作、具有高效率和13.9mm2的超小尺寸等优势,可以实现最高功率密度。

 EPC2066的设计与EPC第4代产品EPC2024兼容。第五代产品在面积乘以导通电阻方面的改进使EPC2066在相同面积下的导通电阻降低了27%。

EPC公司的联合创始人兼首席执行官Alex Lidow说:"在以上提及的导通电阻条件下,EPC2066的尺寸要比市场上任何其他场效应晶体管都要小得多。它与较早前推出的EPC2071匹配,用于高功率密度计算应用的LLC DC/DC转换器。”


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