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查询Tags标签:GaN,共有54条记录
  • 最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管

    宜普电源转换公司(EPC)新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2071),为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高性能、占板面积受限的应用。全球行业领先供应商宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管和集成电路,最新推出…

    2022/5/17 18:20:00
  • 联联合作,缔结电源系统用功率元器件战略合作伙伴关系

    全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)和电源管理解决方案领导厂商台达电子(以下简称“台达”)就第三代半导体GaN(氮化镓)功率器件的开发与量产缔结战略合作伙伴关系。双方将利用台达多年来积累的电源开发技术与罗姆的功率元器件开发和生产技术,联…

    2022/4/28 17:56:47
  • 面向激光雷达应用、通过车规认证的集成电路

    宜普电源转换公司 (EPC)宣布推出通过车规认证的晶体管和集成电路最新成员,针对飞行时间激光雷达(ToF激光雷达)应用,让客户实现具有更高的性能和更小型化的解决方案,用于机器人、无人机、3D传感器和自动驾驶汽车等应用。 EPC公司宣布推出额定电压为100 V、58 mΩ和脉冲…

    2022/4/27 17:43:49
  • 50W GaN功率变换器,面向高能效消费及工业级电源设计

    意法半导体发布了公司首款采用氮化镓(GaN)晶体管的功率变换器件VIPerGaN50,能够简化最高50W的单开关反激式功率变换器设计,通过集成一个 650V 氮化镓 (GaN) 功率晶体管,使电源的能效和小型化达到更高水平。VIPerGaN50 采用单开关拓扑,集成很多功能,包括内置电流采样和…

    2022/4/14 17:39:38
  • 共同展示GaN在提高数据中心效率和盈利能力方面的巨大优势

    氮化镓功率半导体的全球领导者GaN Systems公司和徐州金沙江半导体公司今天联合宣布,在互联网数据中心(IDC)领域,首次成功开展氮化镓(GaN)电源应用的现场试验,这是GaN在IDC电力基础设施领域普及进程的重要里程碑。GaN Systems公司通过其先进的技术实现高功率密度和高可靠…

    2022/4/14 17:25:59
  • 新推350 V氮化镓功率晶体管,比等效硅器件小20倍且成本更低

    氮化镓功率晶体管EPC2050专为功率系统设计人员而设计,在极小的芯片级封装中,实现 350 V、80 mΩ 最大 RDS(on)和26 A 峰值电流,是多电平转换器、电动汽车充电、太阳能逆变器、激光雷达和 LED 照明的理想器件。宜普电源转换公司(EPC)宣布推出 EPC2050,这是一款 350 V…

    2022/4/11 11:56:40
  • 确立栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT的量产体

    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)已确立150V耐压GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列 (GNE1040TB)”的量产体制,该系列产品的栅极耐压(栅极-源极间额定电压)*2高达8V,非常适用于基站、数据中心等工业设备和各种物联网通信设备的电源电路。一般而言,GaN器件具有…

    2022/4/6 17:52:58
  • 用于国际通用交流输入、 240 W USB PD3.1 “全氮化镓” 快充参考设计, 实现功率密度基准

    EPC9171 评估板可将通用交流输入90~265 V转换为直流输出15 V~48 V。该参考设计可在 48 V 输出电压和 5 A 负载电流下,提供 240 W 的最大输出功率。宜普电源转换公司(EPC)宣布推出 EPC9171,可将通用交流输入90 V~260 V转换为直流输出电源15 V ~48 V,专为 USB PD3.1超快…

    2022/3/29 17:50:26
  • 携手推出基于GaN FET的最高功率密度DC/DC转换器,可实现2 MHz的开关频率

    EPC公司和ADI公司推出参考设计,采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型模拟LTC7890同步氮化镓降压控制器与EPC的超高效eGaNFET相结合,可实现高达2 MHz的开关频率,从而实现高功率密度和低成本的DC/DC转换。宜普电源转换公司(EPC)宣…

    2022/3/15 17:28:23
  • 纳微首秀GaNSense新技术智能GaNFast芯片

    日前,纳微半导体在线发布全球首款智能GaNFastTM氮化镓功率芯片,同时对其所开发的GaNSenseTM新技术所具有的优势进行了解读。据介绍,纳微半导体的芯片品牌仍然是GaNFastTM,而GaNSenseTM是一个技术品牌。新产品是使用GaNSenseTM技术的新一代GaNFastTM氮化镓功率芯片,而…

    2021/11/24 15:01:25
  • 全球首款智能GaNFast氮化镓功率芯片,GaNSense新技术登场

    增加GaNSense™技术,全新GaNFast™氮化镓功率芯片通过实时智能传感和保护,为40亿美元的手机充电器和消费市场带来最高效率和可靠性氮化镓(GaN)功率芯片的行业领导者纳微半导体(Navitas Semiconductor)(纳斯达克股票代码:NVTS)近日宣布推出新一代采用GaNSense技术…

    2021/11/9 9:41:23
  • 正式登陆纳斯达克

    美国东部时间2021年10月20日,氮化镓功率芯片的行业领导者纳微半导体(“纳微”)的股票,正式开始在纳斯达克全球市场交易,股票代码为“NVTS”。首席执行官Gene Sheridan在公司领导团队的陪伴下,在纽约纳斯达克MarketSite敲响了开市钟,庆祝公司股票首日上市交易。氮化…

    2021/10/22 16:14:28
  • 扩大40V eGaN®FET的产品陈容

    新产品是高功率密度电信、网通和计算解决方案的理想器件EPC 推出了 40 V、1.6 mΩ的氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET),器件型号为EPC2069,专为设计人员而设,EPC2069比目前市场上可选的器件更小、更高效、更可靠,适用于高性能且空间受限的应用。宜普电源转换公司(EPC)…

    2021/9/28 17:19:51
  • 携手加速650V GaN功率器件的GaN技术开发

    【2021年9月8日,德国慕尼黑和日本大阪讯】英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)和松下公司签署协议,共同开发和生产第二代(Gen2)成熟的氮化镓(GaN)技术,提供更高的效率和功率密度水平。杰出的性能和可靠性与8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力相结合,标志着…

    2021/9/8 20:11:30
  • 新推80 V和200 V eGaN®FET,进一步扩大其高性能氮化镓产品阵容

    宜普电源转换公司(EPC)是增强型硅基氮化镓 (eGaN) 功率 晶体管和集成电路的全球领导者。新推的EPC2065 和 EPC2054具备更高的性能和更低的成本等优势。

    2021/6/18 9:15:24
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