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查询Tags标签:GaN,共有32条记录
  • 针对150V GaN HEMT的8V栅极耐压技术

    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向以工业设备和通信设备为首的各种电源电路,开发出针对150V耐压GaN HEMT*1(以下称“GaN器件”)的、高达8V的栅极耐压(栅极-源极间额定电压)*2技术。

    2021/4/8 16:29:41
  • 氮化镓功率器件市场 2021 年增长率可达 90.6%

    TrendForce 集邦咨询近日发布了 GaN 氮化镓市场调查报告。报告显示,尽管 2018 年至 2020 年以氮化镓为代表的第三代半导体产业受到贸易摩擦、疫情影响增长受到压力,但 2021 年该产业成长动能有望高速回升,预计 GaN 氮化镓功率器件市场规模将达到 6100 万美元,年增长率…

    2021/3/15 9:30:00
  • 就氮化镓领域达成深度合作

    近日,基础半导体器件领域的专家Nexperia(安世半导体)宣布与国内汽车行业主要供应商联合汽车电子有限公司(简称UAES)在功率半导体氮化镓(GaN)领域展开深度合作,旨在满足未来对新能源汽车电源系统不断提升的技术需求,共同致力于推动GaN工艺技术在中国汽车市场的研发…

    2021/3/15 8:40:46
  • 氮化镓功率晶体管价格降至1美元以下

    GaN(氮化镓)功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布,其低电流,大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。 这些晶体管通常用于智能手机和笔记本电脑以及各种消费品和工业应用的氮化镓充电器和AC适配器。 随着全球众多消费者,企业和工业市场客户的产量提高,GaN …

    2021/3/12 9:41:59
  • 氮化镓(GaN)单晶衬底研发基地在苏州园区奠基!

    近日,苏州纳维科技有限公司在园区举行总部大楼奠基仪式啦。项目位于苏州纳米城,总用地面积14000平方米,总建筑面积约34000平方米,将建设成为国际前三的氮化镓(GaN)单晶衬底研发基地与高端产品生产基地,预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片。园区党工委副书记、管委…

    2021/1/26 11:03:55
  • 我国在氮化镓界面态研究方面取得重大突破!

    近日,微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与先导中心工艺平台合作,在GaN界面态研究领域取得了重大突破,在LPCVD-SiNx/GaN界面获得原子级平整界面和国际先进水平的界面态特性,提出了适用于较宽能量范围的界面态U型分布函数,实现了离散能级与界面态的分离。 增强型氮…

    2021/1/25 11:04:02
  • 展示基于氮化镓技术的消费电子应用

    欢迎您与氮化镓(GaN)技术专家一起在CES的EPC虚拟展台中,探索基于更高效、更小尺寸和更低成本的氮化镓场效应晶体管和集成电路的解决方案,如何增强消费电子产品的功能和性能。宜普电源转换公司(EPC)宣布在1月11日至14日举行的全数字国际消费电子展(CES)展示其eGaN技…

    2021/1/8 17:07:20
  • 促进飞利浦新型多端口65W快速充电器达到新的水平

    氮化镓充电器现已成为常态。氮化镓功率半导体的全球领导者氮化镓系统公司(GaN Systems)近日宣布,飞利浦SPS2316G / 93,一款2C1A65W 氮化镓充电器,搭载了GaN Systems的功率晶体管。这款新颖的充电器包括三个交流电源插座和三个USB端口,从而无需使用多个充电器。性能测…

    2021/1/6 15:00:37
  • PowiGaN让消费电子小而强悍

    作为半导体材料,人们关注GaN(氮化镓)是从上世纪90年代的LED灯应用开始的。然而,但我们看到GaN充电器在更小的体积中实现更高的效率,以及更好的散热性能之后,GaN在消费电子领域的爆发便势不可挡。在第十一届亚洲电源技术发展论坛暨21DIANYUAN深圳高性能电源技术分享与…

    2021/1/6 14:57:56
  • 14支决赛队伍将参加2020年“ 氮化镓系统杯” 现场决赛

    自从六年前创办以来,“氮华镓系统杯”中国电源学会(CPSS)设计大赛持续激发着电力电子行业的激情与创新。自4月份参加比赛的35支队伍中,有14支队伍进入决赛。决赛和颁奖典礼将于2020年12月举行。“氮化镓系统杯”是中国电力电子及相关专业的主要学生竞赛。多年来,竞赛…

    2020/12/8 11:09:31
  • 全新MinE-CAP™ IC,可将AC-DC变换器的体积最多缩小40%

    MinE-CAP器件可大幅缩小输入大容量电容的尺寸,减小高达95%的浪涌电流,无需NTC热敏电阻并且避免相关损耗Power Integrations公司日前发布适用于高功率密度、通用输入AC-DC变换器的MinE-CAP IC。这种新型IC可将电源所需的高压大容量电解电容器的尺寸减半,使得适配器的尺寸…

    2020/11/9 14:33:17
  • eGaN®FET实现98%效率、250 W/48 V的DC/DC解决方案

    基于宜普电源转换公司(EPC)超高效eGaNFET的两种高功率密度DC/DC转换器,推动超薄笔记本电脑、显示器、高端游戏系统和其它纤薄型消费电子产品实现高效解决方案宜普电源转换公司(EPC)宣布推出用于48 V DC/DC转换的EPC9148和EPC9153演示板。 EPC9153是一款250 W超薄电源…

    2020/10/29 10:30:07
  • 采用垂直器件架构释放GaN全部潜力

    功率密度日益增加且集成更多功能的高效率功率转换系统需要采用具有更高性能的开关器件来实现。传统Si超级结MOSFET(Si-SJ)已达到其性能极限,而新型SiC器件的低开关频率特性限制了其实用性。作者:NexGen Power Systems CEO Dinesh Ramanathan及高级市场总监 Wolfgang M…

    2020/10/10 16:19:48
  • 基于氮化镓技术的高效率LYTSwitch-6 LED驱动器IC

    采用升压功率因数校正(PFC)前级及隔离反激拓扑后级的90W可调光LED镇流器设计高效率、高可靠性LED驱动器IC领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出LYTSwitch™-6系列安全隔离型LED驱动器IC的最新成员 —— 适合智能照明应用的新器件LYT6078C。…

    2020/9/16 13:07:05
  • 安世半导体宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术

    新一代氮化镓技术针对汽车、5G 和数据中心等应用;新器件采用了传统的TO-247封装和创新的铜夹片贴片封装CCPAK半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装,TO-247 和Nexperia专有的CC…

    2020/6/10 22:55:51
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