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查询Tags标签:MOSFET,共有32条记录
  • 同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的 600V耐压超级结 MOSFET

    全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)的600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS™”产品阵容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款机型,新产品非常适用于电动汽车充电桩、服务器、基站等需要大功率的工业设备的电源电路、以及空调等因节能趋势而采用变频技术的白色家电…

    2022/4/14 16:53:47
  • 采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET

    东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺,适用于工业设备开关电源,其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品于今日开始支持批量出货。与使用当前一代“U-MOSⅧ-H”…

    2022/3/31 15:33:07
  • 采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET,树立技术新标准

    英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列,旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。这些新器件采用薄晶圆技术和创新的封装,尺寸极小,却具有显著的性能优势。OptiMOS 5…

    2022/3/15 17:13:22
  • 满足电动汽车高压功率架构的1700V SiC MOSFET

    日前,Power Integrations发布了两款符合AEC-Q100标准、额定电压1700V的IC新器件。作为InnoSwitch™3-AQ产品系列的新成员,该新器件是业界首款采用碳化硅(SiC)初级开关MOSFET的汽车级开关电源IC,可提供高达70W输出功率,主要用于600V和800V纯电池和燃料电池乘用车,以…

    2022/2/22 9:59:02
  • 高电流 TOLL MOSFETs

    Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 为金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET) 推出节省空间、高热效率的 TOLL (PowerDI1012-8) 封装,能在 175C、100 瓦等级的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH10H2M5STLWQ 下运作,另外,80 瓦等级的 DMTH8001STLWQ 金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET) …

    2021/11/18 14:13:37
  • 650V 60mΩ SiC MOSFET高温性能测试对比,国产器件重载时温度更低

    650V 60mΩ SiC MOSFET主要应用市场包括光伏和储能、驱动、电动汽车及充电桩、UPS、电源等。据HIS报告,电动汽车充电市场的增长将非常强劲,高达59%。自特斯拉第一次采用ST 650V SiC MOSFET后,目前市场上CREE、UnitedSiC、罗姆、Infineon都有650V SiC MOSFET产品。国内厂…

    2021/10/21 14:09:20
  • 首款国产1700V SiC MOSFET获“低碳能效奖“,可提升电源效率4%!

    日前,ELEXCON深圳国际电子展暨嵌入式系统展将“低碳能效奖“颁给了国内首款1700V, 3Ω SiC MOSFET P3M173K0K3,该产品最大导通电流(Ids_max)为2A。

    2021/10/11 17:39:39
  • 开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET

    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出内置有2枚耐压40V和60V的MOSFET且支持24V输入的双极MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列(Nch+Pch*2)”,非常适用于FA等工业设备和基站(冷却风扇)的电机驱动。

    2021/6/29 17:42:49
  • 抗辐射MOSFET获得商业和军用卫星及航空电源解决方案认证

    空间应用电源需要在抗辐射技术环境中运行,防止极端粒子相互作用及太阳和电磁事件的影响,因为这类事件会降低空间系统的性能并干扰运行。

    2021/6/9 17:16:54
  • 赋能未来,勇往直前:SiC MOSFET问世10周年的思索

    John Palmour 博士, 科锐联合创始人兼首席技术官处于像我这样的位置,能够有幸参与到一个改变行业的重要产品的问世,感觉就是一生一遇的机会。所以通过回顾我们公司历史十年前的关键时刻,发现我所能看到的,对于今天 Wolfspeed 将迈向何方,也会显得特别地有意义。在 20…

    2021/3/16 9:38:23
  • 采用TOLL封装的650V超级结功率MOSFET,有助于提高大电流设备的效率

    东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,在其TOLL(TO-无引线)封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z,今日开始批量出货。

    2021/3/11 15:10:51
  • 具有宽范围安全工作区、适用于48V电信设备热插拔应用的MOSFET

    日前,集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS, 纳斯达克代码:AOSL)发布了新款150V MOSFET产品——AOTL66518 和 AOB66518L,这款新器件具有低导通电阻和宽范围安全工作区(SOA)能力,非常适合电信设备等…

    2020/12/18 11:38:27
  • OptiMOS™ 40 V 低电压功率 MOSFET

    当代的电源系统设计需要高功率密度等级和精巧的外型尺寸,以期得到最高的系统级性能。英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)通过专注于强化元器件产品达到系统创新,来应对这一挑战。继2 月份推出 25 V 装置后,英飞凌又推出了 OptiMOS™ 40 V 低电压功率 MOSFE…

    2020/11/3 17:43:57
  • 适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET

    东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET---“TW070J120B”。该产品面向工业应用(包括大容量电源),并于今日开始出货。该功率MOSFET采用碳化硅(SiC)这种新材料,与常规的硅(Si)MOSFET、IGBT产品相比,具有高耐压、高…

    2020/10/19 14:07:06
  • 专为强化谐振拓扑运作性能打造,推出全新 650 V CoolMOS™ CFD7

    在工业应用 SMPS 的设计上,最新的技术趋势会将高效率、高功率密度及总线电压上升的需求作整体考虑,也因此触发了对 650V击穿电压功率器件的需求。英飞凌科技股份有限公司 (FSE:IFX/OTCQX:IFNNY) 旗下 650 V CoolMOS™ CFD7 产品系列即可满足上述需求。此器件适用于软切…

    2020/10/9 14:52:56
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