美国电力消耗预计将从 2020 年的 4 万亿千瓦时增长到 2050 年的约 5.5 万亿千瓦时。 [i]美国乃至全球范围的电力消耗日益增长，部分归因于包括电动汽车在内的交通运输电气化，以及全球数据计算资源的增加。像依靠越来越多服务器集群的物联网 (IoT)，就拥有着数十亿台个人计…
Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出新一代首款独立 MOSFET。DMN3012LEG 采用轻巧封装，可提升效率，大幅节省各种电源转换与控制产品应用的成本、电力与空间。DMN3012LEG 在单一封装内整合双 MOSFET，尺寸仅 3.3mm x 3.3mm，相较于典型双芯片解决方案，电路板空间需…
一款适用于高功率、高耐压、高耐温、高效率、低损耗的行业“香饽饽”日前，集设计研发，生产和全球销售一体的知名功率半导体及芯片供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 纳斯达克代码:AOSL) 推出崭新1200V耐压的碳化硅MOS管 (αSiC MOSFETs)。 碳化硅为第三…
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出栅驱动器开关IPD[1]“TPD7107F”。该产品可用于控制接线盒和车身控制模块等车载控制单元（ECU）的供电电流的通断，并计划于今日开始出货。TPD7107F产品示意图TPD7107F采用东芝的汽车级低导通电阻N沟道MOSFET[2]…
为满足电动汽车市场的需求，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出全新产品系列：CoolMOS™ CFD7A系列。这些硅基高性能产品可用于车载充电器系统的PFC和DC-DC级，以及专为电动汽车应用优化的高低压DC-DC转换器。凭借在汽车领域的多年从业经验，英飞凌将远超…
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。U-MOS X-H系列产品示意图新增产品包括…
英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出搭载恒定导通时间（COT）引擎的全新集成式负载点（IPOL）稳压器系列，其中包含IR3887M、IR3888M和IR3889M。该产品系列专为当今需要高效率和高密度的服务器、基站和电信（在85℃环境温度下运行）以及存储应用而设计。IR…
Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出 APR348 二次侧多模式同步整流 MOSFET 驱动器，专为一般消费性应用、笔记本电脑和 USB 适配器的交直流整流电路所设计。APR348能够驱动高侧和低侧的二次侧同步整流器配置中的外部 MOSFET。这种灵活有效的器件支持连续导通模式 (CC…
新的SiC MOSFET器件实现更好的性能、更高的能效和能在严苛条件下工作推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON），推出另两个碳化硅（SiC） MOSFET系列，扩展了其宽禁带（WBG）器件系列。 这些新器件适用于各种高要求的高增长应用，包括…
实现高密度、短小轻薄的电源系统设计优化日前，集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商 Alpha and Omega Semiconductor Limited （AOS，纳斯达克股票代码：AOSL）发布采用DFN5x6和DFN8x8 SMD封装的700V和600V αMOS5™系列超结MOSFET。αMOS5是AOS的…
英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）进一步扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出650V器件。其全新发布的CoolSiC? MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源（UPS）、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用…
英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战，来实现系统创新和组件水平的改进。“源极底置”是符合行业标准的全新封装概念。英飞凌已推出第一批基于该封装概念的功率MOSFET，它们是采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOSTM 25 …
通过立足于超结技术创新和20多年的丰富经验，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）进一步扩展其CoolMOSTM产品组合，推出全新PFD7系列，该系列不仅具备一流的性能，还拥有最出色的易用性。这些器件适用于超高功率密度设计（如充电器和适配器等）以及低功率驱动和…
器件占位面积10.89 mm2，RDS（ON）降至3.5 m，FOM降至172 m?*nC，均为业内最佳水平日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代号：VSH）推出新型-30 V p沟道TrenchFET第四代功率MOSFET---SiSS05DN，器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-8S封装，10 V条件…
器件采用PowerPAK SO-8单体封装，导通电阻降至2.35 m?，栅极电荷为55 nC，COSS为614 pF日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8单体封装的---SiR680ADP，它是80 V TrenchFET 第四代n沟道功率MOSFET。Vi…
