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签署200 mm碳化硅晶圆供货协议,进一步增强供应链韧性
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2026年10月13日
采用双面柔性材料的PCX-DG 系列热电制冷器,最大限度提高测试系统可靠性
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2026年10月12日
第七代IGBT量产、第八代IGBT首发,国产大功率IGBT刷新电流纪录
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2026年9月25日
SiC功率器件赋能“Neue Klasse”新世代电动动力总成
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2026年9月24日
具备高浪涌电流能力3300V SiC MOSFET模块,助力提升工业设备可靠性
2026年9月15日
八英寸制造工艺正在推动EPC的低压氮化镓产品路线图
2026年8月27日
从器件到系统,共答”AI 供电”命题
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SiC功率器件赋能“Neue Klasse”新世代电动动力总成
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采用高密度电源转换技术,实现 48V 汽车区域架构
2026年9月11日
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从车载主驱到 AI 机架:功率半导体的”器件 + 模拟”融合时刻
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告别复杂架构,11kW矩阵式OBC如何实现系统级成本与空间等多重突破?
2026年7月9日
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电动汽车快速充电教程:功率因数校正(PFC)级
2026年09-10月刊
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实现业界超低损耗的650V耐压IGBT
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2026年5月27日
面向工业应用的新一代1.2kV NX型IGBT模块正式推出样品
2026年3月31日
高效功率器件助力光伏与储能解决方案升级
2025年12月9日
聚焦新能源“心脏”搏动,共绘电能变换产业新图景
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2026年9月24日
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2026年9月11日
αMOS E2™ 600V超结MOSFET:以先进封装与增强型体二极管,助力高效率、高可靠电源系统
2026年6月18日
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具备高浪涌电流能力3300V SiC MOSFET模块,助力提升工业设备可靠性
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采用高密度电源转换技术,实现 48V 汽车区域架构
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氮化镓(GaN)正在进入发展的新阶段。在…
2026年9月11日
αMOS E2™ 600V超结MOSFET:以先进封装与增强型体二极管,助力高效率、高可靠电源系统
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2026年9月11日
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当 GPU 的单机功耗跨过千瓦门槛、当 …
2026年8月27日
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2026年8月12日
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2026年8月7日
面向新一代高压电力系统的2200V氮化镓技术
专注于高能效电源转换高压集成电路研发Po…
2026年7月20日
AI机架迈向兆瓦级,800V直流供电加速走向台前
日前,安森美(onsemi)在2026慕…
2026年7月9日
电动汽车快速充电教程:功率因数校正(PFC)级
摘要:《实现电动汽车快速充电教程》从技术…
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