双片器件结合集成式肖特基二极管提高功率密度和效率，所需PCB空间比6 mm x 5 mm封装减少65 %

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款30 V n沟道MOSFET半桥功率级模块—SiZF300DT，将高边TrenchFET®和低边SkyFET® MOSFET与集成式肖特基二极管组合在一个小型PowerPAIR® 3.3 mm x 3.3 mm封装中。Vishay Siliconix SiZF300DT提高了功率密度和效率，同时有助于减少元器件数量，简化设计，适用于计算和通信应用功率转换。

日前发布器件中的两个MOSFET采用半桥配置内部连接。 通道1 MOSFET在10 V和4.5 V条件下，最大导通电阻分别为4.5 m和7.0 m。通道2 MOSFET在10 V和4.5 V条件下，导通电阻分别为1.84 m和2.57 m。两个MOSFET典型栅极电荷分别为6.9 nC和19.4 nC。

SiZF300DT比6mm x 5mm封装类似导通电阻的双片器件节省65 %的空间，是市场上最紧凑的集成产品之一。器件为设计人员提供节省空间的解决方案，适用于图形加速卡、计算机、服务器以及通信和RF网络设备的负载点（POL）转换、电源以及同步降压和DC / DC转换器。

双MOSFET采用独特的引脚配置结构，电流相位输出电流比相同占位面积的同类产品高11 %，此外，输出电流超过20 A时具有更高的效率。器件引脚配置和大PGND 焊盘还可以增强散热，优化电路，简化PCB布局。

SiZF300DT 经过100 % Rg和UIS测试，符合RoHS要求标准，无卤素。

新款双MOSFET模块现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为12周。