业界领先的3.3 kV碳化硅（SiC）功率器件，实现更高的效率与可靠性

3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基势垒二极管（SBD）扩大了设计人员对交通、能源和工业系统中的高压电力电子产品的选择范围

牵引功率单元（TPU）、辅助动力装置（APU）、固态变压器（SST）、工业电机驱动和能源基础设施解决方案的系统设计人员需要借助高压开关技术来提高效率和可靠性，并减小系统尺寸和重量。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布扩大其碳化硅产品组合，推出业界导通电阻【RDS(on)】最低的3.3 kV碳化硅MOSFET和额定电流最高的碳化硅SBD，让设计人员可以充分利用其耐用性、可靠性和性能。Microchip扩大的碳化硅产品组合为电气化交通、可再生能源、航空航天和工业应用的设计人员开发更小、更轻和更高效的解决方案提供了便利。

许多基于硅的设计在提高效率、降低系统成本和应用创新方面已经达到极限。虽然高压碳化硅为实现这些目标提供了一种有效的替代方案，但到目前为止，3.3 kV碳化硅功率器件的市场供应仍然有限。Microchip已能提供700V、1200V和1700V裸片、分立器件、模块和数字栅极驱动器等碳化硅解决方案， 3.3 kV MOSFET和SBD的加入使这一系列解决方案更加丰富。

Microchip的3.3 kV碳化硅功率器件包括业界最低导通电阻为25毫欧（mOhm）的MOSFET和业界最高额定电流为90安培的SBD。MOSFET和SBD均提供裸片或封装形式。

这些更强的性能水平能够帮助设计人员简化设计，创建功率更高的系统，并使用更少的并联元件来实现更小、更轻和更高效的电源解决方案。

Microchip分立产品业务部副总裁Leon Gross表示：“我们专注于开发能为客户提供快速实现系统创新能力的解决方案，并帮助其最终产品更快地取得竞争优势。我们全新的3.3 kV碳化硅功率产品系列能够让客户轻松、快速而充满信心地采用高压碳化硅，与基于硅的设计相比，这一激动人心的技术带来的诸多优势能让客户从中受益。”

在过去三年里，Microchip已经发布了数百款碳化硅功率器件和解决方案，确保设计人员能够找到满足其应用需求的合适的电压、电流和封装。Microchip在设计所有碳化硅MOSFET和SBD时都把客户的信任放在心中，提供业界领先的产品耐用性和可靠性。公司遵循由客户决定何时停产的惯例，只要客户需要，Microchip就会继续生产这些产品。

客户可以将Microchip 的碳化硅产品与公司的其他器件相结合，包括8位、16位和32位单片机（MCU）、电源管理器件、模拟传感器、触摸和手势控制器以及无线连接解决方案，从而以较低的系统总成本构建完整的系统解决方案。

开发工具

与Microchip的MPLAB® Mindi™模拟仿真器模块和驱动板参考设计兼容的一系列碳化硅SPICE模型为扩大后的碳化硅产品组合提供支持。智能配置工具（ICT）使设计人员能够为Microchip的AgileSwitch®系列可配置数字栅极驱动器的高效碳化硅栅极驱动器建模。