增强性能的第3代碳化硅基氮化镓晶体管
频率覆盖范围广并且具有高效率和高线性度
荷兰奈梅亨 – 埃赋隆半导体（Ampleon）今天宣布推出两款新型宽带碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）高电子迁移率晶体管（HEMT），功率等级分别为30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。这两款高线性度器件是我们最近通过认证并投入生产的第3代GaN-SiC HEMT工艺的首发产品。
这些器件提供了低偏置下的宽带高线性度特性，从而提高了宽带线性度水平（在5dB时三阶互调低于-32dBc；在2:1带宽上从饱和功率回退8dB时则低于-42dBc）。宽带线性对于当今国防电子设备中所部署的频率捷变无线电至关重要，后者用于处理多模通信波形（从FM信号一直到高阶QAM信号）并同时应用对抗信道的情况。这些要求苛刻的应用需要晶体管本身具有更好的宽带线性度。根据市场反馈，埃赋隆半导体的第3代GaN-on-SiC HEMT晶体管可满足这些扩展的宽带线性度要求。
此外，这两款第3代晶体管还采用了增强散热封装以实现可靠运行，并为30W器件提供高达15:1的极耐用的VSWR耐受能力。该耐用性还可扩展到A类放大器工作模式。这在具有饱和栅极条件下，同时要在扩展频率范围内在宽动态范围内保持线性度的仪器应用中很常见。埃赋隆半导体的第3代GaN-on-SiC HEMT晶体管为宽带应用的高线性GaN技术设立了新标准，同时保持了出色的散热性能和耐用性。