用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET的新型栅极驱动IC

全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3.75kVrms

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。

栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快速开启和关闭功率器件。为适应电动车辆电池的更高电压，RAJ2930004AGM内置3.75kVrms（kV均方根）隔离器，比上一代产品的2.5kVrms隔离器更高，可支持耐压高达1200V的功率器件。此外，全新驱动IC拥有150V/ns（纳秒）或更高的CMTI（共模瞬态抗扰度）性能，在满足逆变器系统所需的高电压和快速开关速度的同时，带来可靠的通信与更强的抗噪能力。新产品在小型SOIC16封装中实现栅极驱动器的基本功能，使其成为低成本变频器系统的理想选择。

RAJ2930004AGM可与瑞萨IGBT产品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。除适用于牵引逆变器外，该栅极驱动器IC还非常适合采用功率半导体的各类应用，如车载充电器和DC/DC转换器。为助力开发商将产品迅速推向市场，瑞萨推出xEV逆变器套件解决方案，该方案将栅极驱动IC与MCU、IGBT和电源管理IC相结合，并计划在2023年上半年发布包含新栅极驱动IC的版本。

瑞萨电子汽车模拟应用特定业务部副总裁大道昭表示：“瑞萨很高兴面向车载应用推出具有高隔离电压和卓越CMTI性能的第二代栅极驱动IC。我们将继续推动针对电动车辆的应用开发，打造能减少电力损失并满足用户系统高水平功能安全性的解决方案。”

RAJ2930004AGM栅极驱动IC的关键特性

隔离能力

• 耐受隔离电压：75kVrms
• CMTI（共模瞬态抗扰度）：150V/ns

栅极驱动能力

• 输出峰值电流：10A

保护/故障检测功能

• 片上有源米勒钳制
• 软关断
• 过流保护（DESAT保护）
• 欠压锁定(UVLO)
• 故障反馈

工作温度范围

• -40至125°C（Tj：最高150°C）

该产品将通过实现高成本效益的逆变器来推动电动汽车采用率的提升，从而最大限度减少对环境的影响。

供货信息

RAJ2930004AGM栅极驱动IC现可提供样片，并计划在2024年第一季度量产。有关该新产品的更多信息，请访问：https://www.renesas.com/products/automotive-products/automotive-power-management/motor-and-solenoid-drivers/raj2930004agm-gate-driver-hevev。