三菱电机机电（上海）2024-25 回顾与展望

公司：三菱电机机电（上海）有限公司半导体事业部
受访人：宋高升
职位：技术总监

在2024 年，贵公司在电力电子和功率半导体领域取得了哪些重要的成就或突破？请分享一些具体的业绩或亮点。

三菱电机持续增强自身的增长动能，加速推动功率半导体业务的全方位发展。2024 年，三菱电机在8 英寸SiC 产线建设方面取得显著进展，位于日本熊本县新建的8 英寸SiC 工厂将提前至2025 年9 月正式竣工并开始运营。该新工厂共有六层，总建筑面积约4.2 万平方米，将主要负责8 英寸SiC 晶圆的前端工艺。

此外，位于日本福山的功率器件制作工厂正式开始量产12 英寸Si 晶圆制成的功率半导体芯片，目标到2026 财年，将其Si 功率半导体的晶圆加工能力提高至2021 财年的两倍水平， 以充分满足对节能电力电子设备日益增长的需求。

在过去的一年中，贵公司是否引入或开发了任何创新技术或产品？这些创新如何影响了您的业务和客户？

过去一年，三菱电机凭借在Si 和SiC 功率半导体领域的深厚积淀，不断精进产品技术的创新能力。

在变频家电领域，为满足市场对SLIMDIPTM 产品持续增长的需求，三菱电机于2024 年对搭载了最新12 英寸RC-IGBT 晶圆的SLIMDIP-L 进行量产。采用12 英寸晶圆的SLIMDIP-L 产品，性能与采用8 英寸晶圆的产品相当，成本更具优势，满足了变频家电领域对高性价比产品的需求。

SLIMDIP-L 智能功率模块

在蓬勃发展的电动汽车领域，三菱电机全新开发了压注模封装的J3 系列SiC 车规级半桥模块，该系列模块支持高速开关和并联应用，帮助客户进一步提升电动汽车的功率密度和续航里程。继模块之后， 三菱电机还宣布开始提供专为xEV 设计的SiC-MOSFET 裸片样品，这款标准规格的SiC-MOSFET 功率芯片，将助力市场应对xEV 逆变器的多样化需求。

J3 系列SiC 功率模块

车规级SiC 功率芯片

在轨道牵引领域，三菱电机开发了UnifullTM 系列高压SiC 功率模块， 其额定规格覆盖200A/3.3kV 到800A/3.3kV。UnifullTM 系列采用SBD 嵌入式芯片，避免了SiC-MOSFET 固有的双极退化；并在芯片上采用了一种新颖的双极模式激活（BMA） 元胞结构，实现了足够的浪涌电流能力。该模块采用LV100 封装，与传统的SiC 模块相比，开关损耗降低了58%，输出电流能力显著增强， 将有助于提高铁路牵引系统的功率密度、效率和可靠性。

Unifull TM 系列3.3kV SiC 模块

2024 年对于贵公司在市场定位和客户关系方面有何重大影响？ 您是如何应对行业竞争和市场变化的？

过去一年，功率半导体的机会和挑战并存。得益于出口市场， 以旧换新补贴政策，绿色能源转型，我们看到了来自家电、铁路和电动汽车行业对功率半导体的旺盛需求，这在一定程度上抵消了部分国内经济因为房地产和消费信心不足带来的影响。

伴随着市场需求的增加，更多的友商加入了功率半导体行业，加剧了行业内的竞争。为应对竞争激烈的环境，我们始终坚持开发和制造高质量、高可靠性并富有特色的功率半导体，通过稳定的供应加强自身在市场上的竞争力。对主流销售产品，力争在保持产品性能的前提下进行成本优化，为客户带来更高的价值。此外，针对电动汽车客户的需求，除了车规级功率模块，我们也将开启供应车规级功率芯片，以保持足够的市场竞争力。

对于即将到来的2025 年，您预计哪些趋势或变化将在新的一年中影响电力电子和功率半导体行业？

未来五年，硅功率半导体和宽禁带功率半导体在电力电子变换器的应用中将和谐共存，宽禁带功率半导体的应用占比将逐年攀升。

展望2025 年，在变频家电领域，基于12 英寸硅晶圆的DIPIPM ™将在空调、洗衣机和冰箱中获得大批量应用，这必将进一步提升变频家电中国制造的性价比。在高能效比变频空调中，导入宽禁带DIPIPM ™实现压缩机的变频驱动势在必行。在新能源发电领域，大电流第8 代IGBT 模块，将助力光伏逆变器、风电变流器和储能逆变器进一步提升其功率密度。