CoolSiC™肖特基二极管2000 V， 直流母线电压最高可达1500 VDC，效率更高，设计更简单

如今，许多工业应用可以通过提高直流母线电压，在力求功率损耗最低的同时，向更高的功率水平过渡。为满足这一需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5，这是市面上首款击穿电压达到2000 V的分立碳化硅二极管。该产品系列适用于直流链路电压高达1500 VDC的应用，额定电流为10 A至80 A，是光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用的完美选择。

该产品系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14 mm，间隙距离为5.4 mm，再加上高达80 A的额定电流，显著提升了功率密度。它使开发人员能够在应用中实现更高的功率水平，而元件数量仅为 1200 V SiC解决方案的一半。这简化了整体设计，实现了从多电平拓扑结构到2电平拓扑结构的平稳过渡。

此外，CoolSiC™肖特基二极管2000V G5采用.XT互连技术，大大降低热阻和阻抗，实现了更好的热管理。此外，HV-H3TRB可靠性测试也证明了该二极管对湿度的耐受性。该二极管没有反向或正向恢复电流，且具有正向低电压的特点，确保系统性能更优。

2000 V二极管系列与英飞凌2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC封装的CoolSiC™ MOSFET 2000 V完美适配。CoolSiC™二极管2000 V产品组合将通过提供TO-247-2封装而得到扩展，该封装将于2024年12月推出。此外，英飞凌还提供了与CoolSiC™ MOSFET 2000 V匹配的栅极驱动器产品组合。

供货情况

采用TO-247PLUS-4 HCC封装的CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5系列及其评估板现已上市。了解更多信息，敬请访问www.infineon.com/CoolSiC-diode-2kV。