国产自主研发IGBT模块亮相2022年汽车电子创新技术研讨会

8月10日，有全球知名电子科技媒体<电子发烧友>主办的2022年汽车电子创新技术研讨会在中国深圳成功举办。共有近200名来自各汽车电子相关企业的技术专家们莅临现场，带来了最新的技术分享。

研讨会上，赛晶半导体技术支持总监马先奎先生，发表主题报告“电动车用功率模块的发展趋势-从工业级到汽车级”。介绍了乘用车对功率模块的技术需求，以及赛晶i20 IGBT芯片组、ED封装IGBT模块的优势及特点，并展示了面向新能源汽车领域的HEEV封装SiC模块，以及面向新能源发电和工业电控领域的ST封装模块。这是继ED封装IGBT模块之后的又一力作，也是赛晶面对蓬勃发展的电动车市场做出的积极回应和对服务好客户的意愿展示。

i20 IGBT芯片，采用FS-TRENCH结构、多项国际前沿优化设计，具有低阻抗短沟道、先进的3D结构、N-增强层，使用TAIKO技术超薄基底、优化的P+设计，以及窄台面精细图案、激光退火处理的场截止层和阳极等优势，多项国际前沿优化设计带来超低导通损耗和关断损耗。

HEEV封装SiC模块是专为实现高效率电动汽车应用而开发，采用低损耗的SiC MOSFET芯片，以及压注模封装技术，因而能够提升对湿度等恶劣环境的抵抗力。此外，还采用烧结、超声波焊接等多种先进的封装工艺，无基底直接冷却(已申请专利)、钳桥式结构等独特的创新设计；模块更小的体积（体积降低50%）、更低的损耗（连接电阻降低50%）、更高的可靠性（杂散电感降低40%），拥有高可靠性、良好的可控性、相同的额定功率。

研讨会同期展览，赛晶展出i20 IGBT芯片、d20 FRD芯片、ED封装模块、ST封装模块以及EV封装模块样品，引发与会技术专家们广泛关注，现场火爆程度超乎预期。许多与会专业人士纷纷到赛晶展位参观和咨询，与现场技术、销售人员进行了深入的交流，并对赛晶将推出的新品抱有极大期许。

赛晶展示了自主研发的面向新能源汽车领域的HEEV封装SiC模块，以及带来了赛晶IGBT最新前沿技术。凭借创新的产品理念、国际一流的研发实力、丰富的行业经验，以及国际顶级的技术专家团队，赛晶科技及其子公司赛晶半导体在打造自主技术高端 IGBT产品的路上稳步向前，始终致力于为电动汽车、新能源发电、工业电控等市场开发出具有国际一流品质的IGBT芯片和模块产品。