SiC紧凑型栅极驱动IVCR1412实现量产，集成负压和米勒效应抑制功能
近期，上海瞻芯电子科技有限公司量产了一款比邻驱动®（NextDrive®）芯片IVCR1412，这是业界第一款集成负压和米勒效应抑制功能，且为极紧凑SOT23-6封装的栅极驱动芯片，可为SiC MOSFET、Si MOSFET和IGBT提供简便、紧凑且可靠的栅极驱动解决方案。
IVCR1412驱动芯片的输出是一个准电流源，从而免除了所有栅极电阻，又能贴近功率管安装，可最大限度地减小了栅极驱动环路杂散电感，动态均流效果提升明显。
该驱动芯片集成了一个负压电荷泵，可以以提供-2V的关断电压。如果不需要-2V的关断电压，直接使用OUT输出即可。由于栅极驱动环路上没有栅极电阻，驱动器的强下拉输出可实现有源米勒效应抑制功能，从而可靠地关断MOSFET。该驱动芯片也适用于硅MOSFET和IGBT驱动。
在关断时，驱动芯片的输出首先以4A电流下拉80ns，然后以3 Ω的下拉电阻使输出保持低电平，从而为栅极环路振荡提供必要的阻尼。
该驱动芯片还具有一个驱动电流大小的编程引脚，可调节开通时上拉的峰值电流大小，用于 MOSFET 的导通速度调节，便于优化SiC MOSFET的开通速度与系统噪声。
IVCR1412是一款高速驱动芯片，它非常适合并联 MOSFET的一对一驱动，以实现良好的动态均流。主要应用于新能源汽车OBC、电机驱动、AC/DC和DC/DC转换器、服务器和通信设备的整流器、EV/HEV逆变器及DC/DC转换器、光伏升压及逆变、UPS等领域。
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IVCR1412的主要特性如下：
- 6引脚SOT-23封装
- 高达2A的峰值拉电流和4 A的峰值灌电流
- 80ns 灌电流持续控制
- 高达30V的宽幅VDD供电
- VDD 欠压保护，5V到25V推荐工作电压
- 集成-2V电压输出（默认），或者0V输出选项
- 抑制米勒效应
- 可配置输出驱动电流
- 低至-5V负压输入
- 兼容TTL和CMOS输入电平
- 低传播延迟(16ns)
- 输入浮空时输出为低电平
- -40℃至125℃的工作温度范围
